Diseño de la nanoestructura de materiales semiconductores autoensamblados de inas crecidos mediante epitaxia de haces moleculares

  1. SALES LERIDA, DAVID
Dirigée par:
  1. Sergio I. Molina Directeur
  2. Rafael García Roja Directeur

Université de défendre: Universidad de Cádiz

Fecha de defensa: 14 avril 2008

Jury:
  1. Fernando Briones Fernández-Pola President
  2. Daniel Araújo Gay Secrétaire
  3. Lucia Nasi Rapporteur
  4. Etienne Bustarret Rapporteur
  5. Juan Martínez-Pastor Rapporteur
Département:
  1. Ciencia de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica y Química Inorgánica

Type: Thèses

Teseo: 290894 DIALNET

Résumé

La microscopia electrónica de nueva generación permite la adquisición de imágenes y espectros con resolución a escala atómica. Esto ha servido para impulsar el desarrollo de la nanotecnología, permitiendo aplicar estrategias de diseño para el control de la materia a nivel nanométrico. La presente tesis doctoral se enmarca dentro del creciente mundo de la nanoelectrónica y pretende contribuir a su desarrollo aportando estrategias de diseño para el control de la nanoestructura, y por ende de las propiedades, de sistemas epitaxiales para la nueva generación de dispositivos láseres. Para ello, se ha estudiado el proceso de nucleación y evolución nanoestructural de hilos cuánticos horizontales autoensamblados de InAs sobre InP, caracterizándose su forma, tamaño, distribución espacial y composición, y proponiéndose un modelo de evolución basado en el cálculo de la energía elástica mediante el método de los elementos finitos. Asimismo se ha analizado el efecto que produce sobre la nanoestructura de puntos cuánticos autoensainblados de InAs sobre GaAs la modificación de varios parámetros de diseño, tales como de la adición de aluminio en las capas confinadoras, el uso de sustratos con orientación (311)B, la deformación de la capa activa, y la interrupción tras el crecimiento de esta última. Previo al análisis de las nanoestructuras, ha sido necesario definir una nueva metodología que permitiera analizar su composición, cuyos fundamentos y cálculos también se incluyen en la tesis. La aplicación de esta técnica sobre nanoestructuras de una aleación desconocida de InAsxP(1-x) permite cuantificar su composición con resolución de columna atómica.