Control de la distribucion y la morfologia de nano-hilos y nano-anillos semiconductores iii-v autoensamblados crecidos mediante epitaxia de haces moleculares

Resumen

Los dispositivos emisores construidos a partir de estr8ucturas de baja dimensión de InAs están destacando entre los diodos láser debido a sus propiedades luminiscentes, las cuales están regidas por un comportamiento cuántico que permite sintonizar su señal mediante el control de tamaño. Entre estas estrucras cabe destacar los hilos cuánticos de InAs sobre sustrasto de InP para la generación de diodos láser de emisión de longitud de onda en el intervalo 1.3-1.55 mm y por otro lado, los anillos cuánticos de InAs sobre sustrato de GaAs, cuyas propiedades de emisión permitirán la generación de diodos láser para la comunicación entre satélites (800-900 nm). El objetivo principal de esta Tesis ha sido el control de la nanoestructura en los dos tipos de sistemas materiales autoensamblados mencionados, crecidos mediante epitaxia de haces moleualteres (MBE), para la mejora de la fabricación de dispositivos optoelectrónicos. Junto con la necesida de diseñar estructuras cuánticas con una emisión óptica eficiente demos también tener presente la adecuada fabricación de capas que actuén como guía de onda y capas barrera dentro de una cabidad láser po ello vimos necesario el estudio estructuras láser con hilos cuánticos como zona activa. El crecimiento de las estructuras se ha realizado mediante Epitaxia de Haces Moleculares y monitorizado por técnicas de control y caracterización como Difracción de Electrones Reflejados de Alta Energía o medidas in situ de la tensión. Posteriormente se ha realizado una exhaustiva caracterización de estas estructuras mediante Microscopia Electrónica de Transmisión y Transmisión- Barrido con detección de electrones en Campo Oscuro recogidas a Alto Ángulo, Espectroscopía de Pérdida de Energía de Electrones y Energía Dispersiva de Rayos X. Además se ha hecho uso de técnicas de Extracción del campo de deformaciones en imágenes de Microscopía Electrónica de Transmisión de Alta Resolución y mediante Análisis de Elementos Finitos.