Influencia del desajuste reticular sobre el estado de relajacion en heteroepitaxias semiconductoras

  1. PACHECO ROMERO FRANCISCO JOSE
Supervised by:
  1. Rafael García Roja Director

Defence university: Universidad de Cádiz

Year of defence: 1997

Committee:
  1. Francisco Javier Piqueras de Noriega Chair
  2. Jose Maria Rodriguez Izquierdo Gil Secretary
  3. Albert Cornet Calveras Committee member
  4. Josep Antón Planell Estany Committee member
  5. Pere Roura Grabulosa Committee member
Department:
  1. Ciencia de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica y Química Inorgánica

Type: Thesis

Teseo: 58264 DIALNET

Abstract

La posibilidad de crecer capas epitaxiales de alta calidad con parametros reticulares diferentes del sustrato permite una gran flexibilidad en el diseño de dispositivos opticos y electronicos. La dificultad estriba en que el desajuste reticular induce defectos en la intercara sustrato-epicapa y dislocaciones de propagacion, que pueden propagarse en las capas superiores degradando la calidad del material. En el presente trabajo de tesis se consideran tres sistemas heteroepitaxiales con diferente estado de deformacion/relajacion y de ahi que la configuracion de defectos cristalinos presentes sea diferente: . Ingaas/gaas (mbe: epitaxia de haces moleculares). Son sistemas diseñados para conseguir un estado de relajacion avanzado de forma que se pretende investigar la validez de diferentes capas amortiguadoras de ingaas. . Gap/si (almbe: epitaxia de haces moleculares en capas atomicas). En este sistema polar se pretende examinar la estructura de defectos asociada a un sistema de bajo desajuste reticular en que se persigue un crecimiento capa a capa (bidimensional). . Qw-inas/inp (cbe: epitaxia de haces quimicos). En este caso se espera la existencia de un crecimiento pseudomorfico. Se trata de averiguar el mecanismo (bidimensional o en forma de islas) en el que crece este tipo de pozos cuanticos, prestando una especial atencion a la distribucion composicional dentro de dicho pozo a nivel subnanometrico. Entre las conclusiones obtenidas en el presente trabajo de tesis cabe destacar las siguientes: . El signo del desajuste reticular entre una epicapa y un sustrato condiciona el tipo de defectos que apareceran para la relajacion de la deformacion debida al desajuste reticular. . Los tratamientos termicos y la temperatura de crecimiento tienen un efecto critico en la morfologia y distribucion de defectos tanto en el seno de las capas epitaxiadas como en la superficie. . Se ha demostrado que interrupciones en el crecimie