(S)TEM Analysis of the Strain and Morphology of InAs Quantum Dots using GaAs(Sb)(N) Capping Layers for Solar Cell Applications

  1. Reyes, D.F.
  2. Utrilla, A.D.
  3. Ben, T.
  4. Saborido, J.J.
  5. Ulloa, J.M.
  6. Bárcena-Gonzálz, G.
  7. GuerreroLebrero, M.P.
  8. Guerrero, E.
  9. Gonzalez, D.
Revista:
Microscopy and Microanalysis

ISSN: 1435-8115 1431-9276

Año de publicación: 2016

Volumen: 22

Páginas: 46-47

Tipo: Nota

DOI: 10.1017/S1431927616000428 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor