Diamante sintético para ingeniería de materiales en la electrónica, la aeronáutica, las herramientas y la medicina.
Diseño y caracterización nano y microestructural mediante técnicas de haces de electrones de nanoestructuras auto-ensambladas de semiconductores III-V.
Estudio microestructural y composicional de capas heteroepitaxiales y de nanoestructuras de nitruros semiconductores III-N (compuestos binarios y aleaciones ternarias y cuaternarias) crecidas sobre Si, Sic y Zafiro.
Estudios de transformaciones de fase de minerales de interés industrial mediante tratamientos termoquímicos.
Fabricación de obleas de Sic/Si mediante carburización para la obtención de sustratos de dispositivos optoelectrónicos (láseres azules) y microelectrónicos (transistores de potencia).
Fiabilidad de celdas solares para aplicaciones espaciales mediante EBIC/Cl.
Ingeniería de aleaciones de semiconductores GaAsSbN para aplicaciones en células solares y fotodetectores de alto rendimiento.
Nanohilos de semiconductores, pozos cuánticos o puntos cuánticos para aplicaciones micro y optoelectrónicas.
Polímeros reforzados para la aeronáutica.
Procesos de relajación cristalina y distribución de defectos en estructuras láser Ingaas/Gaas (111) para aplicaciones en telecomunicaciones.
Sistemas elaborados por deposición en ángulo oblicuo rasante (óxidos y metales) para aplicaciones ópticas, optrónicas y termocrómicas.
Sistemas múltiples de capas finas y nanoestructuras basadas en la actividad de los nitruros binarios III-N (InN, AlN, GaN), ternarios (InAlN, InGaN, AlGaN) y cuaternarios (InAlGaN) para la optoelectrónica, la electrónica de potencia y la tecnología fotovoltaica.