TRANSISTOR METAL-AISLANTE-SEMICONDUCTOR DE EFECTO CAMPO (MISFET) DE DIAMANTE PARA ALTA POTENCIA CON CANAL OPTO-ACTIVADO Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DEL MISMO

Abstract

Transistor metal-aislante-semiconductor de efecto campo (MISFET) de diamante para alta potencia con canal opto-activado y procedimiento de fabricación del mismo.

La invención comprende el diseño de la fabricación de un MISFET de diamante con puerta opto-activada para alta potencia mediante emisor de luz LED-IR y crecimiento lateral/selectivo.

El uso de una puerta opto-activada le confieren un funcionamiento novedoso que, junto al uso de crecimiento vertical estándar sobre el sustrato y lateral selectivo para los contactos de fuente y drenado, confiere al dispositivo MISFET de una estructura tridimensional.

Este dispositivo evita las fugas de puerta debidas al óxido, evita los efectos de borde de los contactos metálicos y los altos campos eléctricos internos, mejora la calidad cristalina del diamante y reduce los tiempos, costes y tamaño del dispositivo dotándole a su vez de una mayor versatilidad para su implementación sobre arquitecturas más complejas.