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1987

  1. Características corriente-tiempo con pulsos de voltaje rectangulares no-conmutadores en el semiconductor vítreo másico As0.40 Se0.30 Te0.30

    XXI Reunión bienal de la Real Sociedad española de Física: programa, Salamanca 4 al 10 de octubre, 1987

  2. Características corriente-voltaje en el estado off y dependencia de la resistencia óhmica, con la temperatura en el semiconductor vítreo másico As0.40 Se0.30 Te0.30

    XXI Reunión bienal de la Real Sociedad española de Física: programa, Salamanca 4 al 10 de octubre, 1987

  3. Características voltaje aplicado-tiempo de retardo para la conmutación a diferentes temperaturas en el semiconductor vítreo calcogenuro másico As0.40 Se0.30 Te0.30

    XXI Reunión bienal de la Real Sociedad española de Física: programa, Salamanca 4 al 10 de octubre, 1987

  4. Determinación de la estructura del semiconductor amorfo As0.20 Ge0.05 Te0.75

    XXI Reunión bienal de la Real Sociedad española de Física: programa, Salamanca 4 al 10 de octubre, 1987

  5. Distribución atómica espacial de la aleación vítrea Ge0.10 As0.20 Te0.70

    XXI Reunión bienal de la Real Sociedad española de Física: programa, Salamanca 4 al 10 de octubre, 1987

  6. Distribución atómica espacial de la aleación vítrea semiconductora Cu0.05 As0.50 Te 0.45

    XXI Reunión bienal de la Real Sociedad española de Física: programa, Salamanca 4 al 10 de octubre, 1987

  7. GeAsTe glassy system. Atomic distribution models

    Materials Letters, Vol. 5, Núm. 7-8, pp. 301-306

  8. Modelos de estructura de la aleación vítrea Ge0.14 As0.43 Te0.43 mediante la técnica de metrópolis-Montecarlo

    XXI Reunión bienal de la Real Sociedad española de Física: programa, Salamanca 4 al 10 de octubre, 1987

  9. Short-range order in some alloys of the Ge-As-Te semiconducting glassy system by X-ray diffraction

    Journal of Materials Science, Vol. 22, Núm. 12, pp. 4357-4361

  10. Some considerations on electrical conduction and the switching process in chalcogenide glasses

    Materials Letters, Vol. 5, Núm. 7-8, pp. 296-300

  11. Study of the electrothermal switching effect in bulk glassy semiconductors by a computer simulation method

    Journal of Materials Science, Vol. 22, Núm. 12, pp. 4434-4438