Estructura de defectos en aleaciones ternarias semiconductoras iii-v

  1. CASTRO FERNÁNDEZ MANUEL DE
Dirigida por:
  1. Guillermo Aragón Herranz Director/a
  2. Rafael García Roja Director

Universidad de defensa: Universidad de Cádiz

Fecha de defensa: 22 de julio de 2002

Tribunal:
  1. Francisco Javier Piqueras de Noriega Presidente/a
  2. María Yolanda González Díez Secretario/a
  3. Luisa González Sotos Vocal
  4. Juan Piqueras Vocal
  5. Paloma Fernández Sánchez Vocal
Departamento:
  1. Ciencia de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica y Química Inorgánica

Tipo: Tesis

Teseo: 86981 DIALNET

Resumen

La importancia que la tecnología de las telecomunicaciones ha adquirido en el mundo actual es cada vez mayor, y no cabe duda de que no es ajeno a ello el esfuerzo dedicado al estudio e investigación de los materiales que conforman los dispositivos optoelectrónicos. Los sistemas constituidos por aleaciones semiconductoras III-V son componentes clave de esos dispositivos, de ahí la importancia del estudio de esas aleaciones. En esta Tesis se realiza el estudio microestructural de cinco sistemas de aleaciones: InGaSb, InAlSb, InGaP, GaAsP y InCaAS. La elección de aleaciones III-V semiconductoras para su empleo como dispositivos opto-electrónico requiere un conocimiento previo lo más completo posible de sus propiedades y características. La dificultad de obtener una integración monolítica al crecer las epicapas, se debe a la diferencia de parámetro reticular entre ellas y tiene como consecuencia la aparición de defectos no deseables. Al mismo tiempo no solo deben considerarse los defectos debidos al desajuste reticular entre epicapa y sustrato, sino también otros factores que pueden afectar a la calidad de la epitaxia, como inhomogeneidades composicionales y estructurales en las epicapas. Se ha realizado un estudio mediante Microscopía Electrónica de Transmisión (TEM) de las aleaciones antes mencionadas, y se describe su microestructura bajo distintas condiciones y técnicas de crecimiento. En las aleaciones de compuestos de Sb, con un desajuste reticular alto, se han encontrado diferencias notables en su microestructura al pasar de InAlSb a InGaSb, con aparición de dislocaciones verticales, tal vez relacionadas con modulación composicional. En las aleaciones de InGaP y InGaAs, se comprueba la existencia de modulación composicional y, en algunos casos, ordenamiento atómico. En la única aleación crecida bajo tensión reticular, no se observa modulación composicional aunque aparecen grietas, defectos característicos de