Modelos de estructura de la aleacion amorfa semiconductora as.20 se.50 te.30

Abstract

Se ha realizado un analisis estructural de la aleacion amorfa as.20 se.50 te.30 por difraccion de rayos x obteniendose el espectro de intensidades experimentales y a partir de el se determino la funcion de distribucion radial (rdf) que proporciono la informacion estructural utilizada para postular el orden de corto alcance del material. Se han propuesto dos modelos de orden local basados en considerar as tetraedrico y tricoordinado respectivamente. A partir de las citadas hipotesis se generaron dos modelos de estructura por un metodo aleatorio (metropolis-montecarlo) que una vez afinados dieron buenos acuerdos entre sus rdf reducidas y la experimental por lo que no puede descartarse ninguno de los dos modelos. Finalmente se analizaron comparativamente los valores de las longitudes y angulos de enlace de ambas configuraciones con los que figuran en la bibliografia observandose que se encuentran en buena concordancia por lo que se admitieron ambos modelos como probables para describir la estructura de la aleacion en estudio.