Diseño y caracterización por medio de microscopía electrónica de transmisión de películas semiconductoras luminiscentes basadas en compuestos iii-n y si

Resumen

La presente Tesis Doctoral tiene por objeto, el estudio de películas semiconductoras con propiedades luminiscentes basadas en compuestos III-N y en silicio. Dichas películas semiconductoras son obtenidas por medio de técnicas de crecimiento epitaxial y de implantación iónica. En el caso de los compuestos III-N, se han estudiado heteroepitaxias GaN/zafiro, GaN/Si, AlGaN/AlN y AlN/Si, las cuales pretender ser aplicadas en dispositivos tales como láseres emisores de luz de cavidad vertical, sensores de ondas acústicas superficiales, entre otros. Por otra parte las películas obtenidas por medio de implantación iónica están encaminadas a la modificación del silicio para convertirlo en un material emisor de luz eficiente. Las aplicaciones de estos materiales, compuestos III-N y Si como material emisor de luz, están recogidas en el campo de los dispositivos optoelectrónicos. El estudio de los materiales está basado en la caracterización de ellos por medio de técnicas de haces de electrones y se complementa con otras técnicas de caracterización (fotoluminiscencia, cátodoluminiscencia, elipsometría, difracción de rayos X, microscopía de fuerza atómica y espectrometría de retodispersión de Rutherford). Los resultados obtenidos han permitido conocer de forma detallada algunas propiedades estructurales, composicionales y ópticas de dichos materiales. Tales resultados son de utilidad para la mejora en la operación de dichos dispositivos. Las películas semiconductoras estudiadas en la presente tesis han sido obtenidas en colaboración con otros grupos de investigación, los cuales pertenecen a las universidades Autónoma de Madrid, Politécnica de Madrid y de Hannover (Alemania).