Simulacion, modelado y caracterizacion estructural de semiconductores amorfos de la familia cu-as-se mediante exafs y dispersion de rayos-x

Résumé

Se estudia el orden de corto alcance, en dos semiconductores amorfos de composicion cu26 as37 se37 y cu8 as26 se66. Mediante las tecnicas experimentales de difraccion de r-x y espectroscopia exafs y finalmente se simulan modelos espaciales mediante la tecnica de metropolis montecarlo. La difraccion de rayos x, permite conocer parametros medios estructurales, de coordinacion y distancia de enlace de la muestra. Mientras que la espectroscopia exafs permite deducir informacion estructural promedio alrededor de cada especie atomica en los ternarios estudiados. Las coordinaciones medias resultantes son cuatro para el cobre y tres para el arsenico en ambas muestras, mientras que el selenio pasa de 2.25 a 3.83. Esto refuerza la hipotesis de la hibridacion tetraedrica sp del cu, aceptando pares electronicos de se, y este aumenta su coordinacion al subir el contenido de cobre. Los modelos espaciales finales incorporan la informacion de difraccion de rayos x y exafs. Y se ajustan a las coordinaciones y distancias deducidas de exafs y al area bajo el primer pico de difraccion. Se obtuvo la transformada de fourier de la funcion de distribucion radial del modelo y se ajustaba correctamente a la funcion de interferencia experimental. Que en el caso de la muestra de bajo contenido de cobre reproduce el rasgo topologico de medio alcance denominado prepico de difraccion.