Epitaxia de haces moleculares de compuestos de antimonio sobre gaas (001)aplicacion al desarrollo de detectores de infrarrojo medio
- PEREZ CAMACHO JUAN JOSE
- Fernando Briones Fernández-Pola Director/a
Universidad de defensa: Universidad Politécnica de Madrid
Año de defensa: 1995
- José Manuel Otón Presidente/a
- Enrique Calleja Pardo Secretario/a
- José V. Anguita Estefania Vocal
- Rafael García Roja Vocal
- Ana Ruiz Ruiz de Gopegui Vocal
Tipo: Tesis
Resumen
Se presenta el crecimiento y características de nuevas heteroestructuras ga1-x inx sb/al1-y in y sb en sustratos gaas (001) aplicados al desarrollo de fotodetectores de infrarrojo medio. La respuesta fotovoltaica es similar a la de otros dispositivos de antimonio crecido sobre sustratos gasb (001). Nuestro sistema permite operar en toda la región espectral del infrarrojo medio que resulta imposible de alcanzar con sistemas ga1-x inx as/a1 1-y in y as en sustratos inp. Para crecer las heteroestructuras pin se ha utilizado epitaxia de haces moleculares. Se ha demostrado la nucleacion bidimensional de GASB y ALSB en sustratos gaas (001). En condiciones similares los compuestos ternarios gainsb y alinsb muestran nucleacion tridimensional. Se han obtenido niveles adecuados de dopante en capas ga1-xinx sb y al1-y in y sb utilizando snte y be como dopante de tipos n y p respectivamente.