Comportamiento óptico no-lineal de nanocristales semiconductores de CDS en una matriz de gel de sílice

  1. Rosa Fox, Nicolás de la
  2. Piñero de los Ríos, Manuel
  3. Litrán Ramos, Rocío Milagros
  4. Esquivias Fedriani, Luis María
Revista:
Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio

ISSN: 0366-3175

Año de publicación: 2000

Volumen: 39

Número: 3

Páginas: 255-258

Tipo: Artículo

DOI: 10.3989/CYV.2000.V39.I3.836 DIALNET GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor

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Resumen

La inclusión de nanocristales en una matriz dieléctrica puede realizarse mediante el método sol-gel, permitiendo el control de parámetros cinéticos en el crecimiento de los cristales. El tamaño y distribución de dichos nanocristales se han estudiado por medio de difusión de neutrones a bajo ángulo (SANS), con una resolución espacial entre 1 y 50 nm. Bajo excitación óptica de alta intensidad, usando un láser (Nd:YAG) con pulsos de 6 ns y una frecuencia de repetición de 10 Hz, se focalizó en la muestra para registrar la señal de fotoluminiscencia en la dirección perpendicular. El espectro indica procesos radiativos debidos a transiciones intrínsecas (2.76 eV) y una banda ancha a más baja energía (1.65 eV) correspondiente a recombinaciones en los defectos superficiales. La señal de fotoluminiscencia crece superlinealmente dando lugar a una amplificación (60 cm-1) debida principalmente a biexcitones que indican un comportamiento óptico no-lineal de los nanocristales de CdS.