The effect of Si doping on the defect structure of GaN/AIN/Si(111)

  1. Molina, S.I.
  2. Sánchez, A.M.
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  4. García, R.
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  6. Sánchez, F.J.
  7. Calleja, E.
Zeitschrift:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Datum der Publikation: 1999

Ausgabe: 74

Nummer: 22

Seiten: 3362-3364

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.123345 GOOGLE SCHOLAR
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