GaAsSb/GaAsN short-period superlattices as a capping layer for improved InAs quantum dot-based optoelectronics
- Utrilla, A.D.
- Reyes, D.F.
- Ulloa, J.M.
- González, D.
- Ben, T.
- Guzman, A.
- Hierro, A.
Zeitschrift:
Applied Physics Letters
ISSN: 0003-6951
Datum der Publikation: 2014
Ausgabe: 105
Nummer: 4
Art: Artikel