Reducing carrier escape in the InAs/GaAs quantum dot intermediate band solar cell

  1. Antolín, E.
  2. Martí, A.
  3. Farmer, C.D.
  4. Linares, P.G.
  5. Hernández, E.
  6. Sánchez, A.M.
  7. Ben, T.
  8. Molina, S.I.
  9. Stanley, C.R.
  10. Luque, A.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 2010

Volum: 108

Número: 6

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.3468520 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus