Structural and optical quality of InGaAsN quantum wells grown on misoriented GaAs (1 1 1)b substrates by molecular beam epitaxy

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Zeitschrift:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Datum der Publikation: 2004

Ausgabe: 270

Nummer: 1-2

Seiten: 62-68

Art: Artikel

DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2004.06.022 GOOGLE SCHOLAR