Defect reduction in heteroepitaxial InP on Si by epitaxial lateral overgrowth

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Zeitschrift:
Materials Express

ISSN: 2158-5849 2158-5857

Datum der Publikation: 2014

Ausgabe: 4

Nummer: 1

Seiten: 41-53

Art: Artikel

DOI: 10.1166/MEX.2014.1140 GOOGLE SCHOLAR