MBE growth of GaN and AlGaN layers on Si(1 1 1) substrates: Doping effects

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Revista:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Año de publicación: 1999

Volumen: 201

Páginas: 415-418

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/S0022-0248(98)01365-7 GOOGLE SCHOLAR