Electrical characterization of phosphorus-doped n-type homoepitaxial diamond layers by Schottky barrier diodes
- Suzuki, M.
- Yoshida, H.
- Sakuma, N.
- Ono, T.
- Sakai, T.
- Koizumi, S.
ISSN: 0003-6951
Any de publicació: 2004
Volum: 84
Número: 13
Pàgines: 2349-2351
Tipus: Article