Electrical properties of B-related acceptor in B-doped homoepitaxial diamond layers grown by microwave plasma CVD

  1. Suzuki, M.
  2. Yoshida, H.
  3. Sakuma, N.
  4. Ono, T.
  5. Sakai, T.
  6. Ogura, M.
  7. Okushi, H.
  8. Koizumi, S.
Revista:
Diamond and Related Materials

ISSN: 0925-9635

Any de publicació: 2004

Volum: 13

Número: 1

Pàgines: 198-202

Tipus: Article

DOI: 10.1016/J.DIAMOND.2003.10.036 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus