Doping characteristics and electrical properties of Mg-doped AlGaN grown by atmospheric-pressure MOCVD
- Suzuki, M.
- Nishio, J.
- Onomura, M.
- Hongo, C.
Zeitschrift:
Journal of Crystal Growth
ISSN: 0022-0248
Datum der Publikation: 1998
Ausgabe: 189-190
Seiten: 511-515
Art: Artikel