Effect of the temperature ramp rate during carbonization of Si (111) on the crystalline quality of SiC produced

  1. Pacheco, FJ
  2. Sanchez, AM
  3. Molina, SI
  4. Araujo, D
  5. Garcia, R
  6. Steckl, AJ
Col·lecció de llibres:
MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1999, PROCEEDINGS
  1. Cullis, AG (coord.)
  2. Beanland, R (coord.)

ISSN: 0951-3248

ISBN: 0-7503-0650-5

Any de publicació: 1999

Pàgines: 521-524

Congrés: Conference on Microscopy of Semiconducting Materials

Tipus: Aportació congrés

GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: WoS