Correlation between the AlN buffer layer thickness and the GaN polarity in GaN/AlN/Si(111) grown by MBE
- Sanchez, AM
- Ruterana, P
- Vennegues, P
- Semond, F
- Pacheco, FJ
- Molina, SI
- Garcia, R
- Sanchez-Garcia, MA
- Calleja, E
- Wetzel, C (coord.)
- Yu, ET (coord.)
- Speck, JS (coord.)
- Arakawa, Y (coord.)
ISSN: 0272-9172
ISBN: 1-55899-680-X
Año de publicación: 2003
Volumen: 743
Páginas: 157-162
Congreso: Symposium on GaN and Related Alloys held at the 2002 MRS Fall Meeting
Tipo: Aportación congreso