Epitaxial Growth of Boron Carbide on 4H-SiC

  1. Benamra, Y.
  2. Auvray, L.
  3. Andrieux, J.
  4. Cauwet, F.
  5. Alegre, M.-P.
  6. Lloret, L.
  7. Araujo, D.
  8. Gutierrez, M.
  9. Ferro, G.
Liburu bilduma:
Solid State Phenomena

ISSN: 1662-9779,  1012-0394

Argitalpen urtea: 2023

Alea: 343

Orrialdeak: 3-8

Mota: Liburuko kapitulua

DOI: 10.4028/P-6T47NZ GOOGLE SCHOLAR lock_openSarbide irekia editor

Garapen Iraunkorreko Helburuak

Datuen iturria: Scopus