AlN interlayer-induced reduction of dislocation density in the AlGaN epilayer

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Revista:
CrystEngComm

ISSN: 1466-8033

Año de publicación: 2024

Volumen: 26

Número: 26

Páginas: 3475-3482

Tipo: Artículo

DOI: 10.1039/D4CE00191E GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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