TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO (MOSFET) Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DEL MISMO

    Inventors:
  1. FERNANDO MANUEL LLORET VIEIRA
  2. DANIEL ARAUJO GAY
  3. GODIGNON, Philippe
  4. EON, David
  5. PERNOT, Julien
  6. BUSTARRET, Etienne
  1. Universidad de Cádiz
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    Universidad de Cádiz

    Cádiz, España

  2. Consejo Superior de Investigaciones Científicas
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    Consejo Superior de Investigaciones Científicas

    Madrid, España

ES
Publicación principal:

ES2763702A1 (29-05-2020)

Otras Publicaciones:

ES2763702B2 (28-10-2020)

Solicitudes:

P201831162 (29-11-2018)

Abstract

Transistor de efecto campo (MOSFET) y procedimiento de fabricación del mismo. La invención comprende un transistor metal-oxido-semiconductor de efecto campo(MOSFET) de diamante para alta potencia, así como el procedimiento de fabricación mediante crecimiento lateral/selectivo.

La combinación del crecimiento sobre el sustrato de las primeras capas de forma vertical estándar con el uso de un crecimiento lateral selectivo sobre la estructura mesa grabada confiere al dispositivo MOSFET de una estructura tridimensional novedosa. Esta evita los efectos de borde de los contactos metálicos y los altos campos eléctricos internos, mejora la calidad cristalina del diamante y reduce los tiempos, costes y tamaño del dispositivo dotándole a su vez de una mayor versatilidad para su implementación sobre arquitecturas más complejas.

INVENES: P201831162
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