Separación de fases y relajación plástica en epitaxias semiconductoras de gain(n)as/gaas(001)

Résumé

El objetivo de la presente Tesis Doctoral es establecer parámetros de diseño para el crecimiento epitaxial mediante Epitaxia de Haces Moleculares de capas de GaIn(N) As/GaAs(001) con la finalidad de optimizar sus propiedades estructurales y , por tanto, mejorar su funcionalidad en dispositivos opto- y micro- electrónicos. Con este objetivo, se ha analizado la influencia de distintos parámetros de crecimiento tales como la temperatura de crecimiento, el espesosr de la epicapa o la composición en In y/o N en la micro.estructura de capas de GaIn(N)As mediante Microscopía Electrónica de Transmisión en modo contraste de difracción. También se ha utilizado técnicas adicionales tales como Difracción de Rayos X de Doble Cristal, Microscopía de Fuerza Atómica y Fotoluminiscencia para la caracterización de las propiedades de este sistema m,aterial. Estos análisis han permitido profundizar en el conocimiento de los procesos de relajación plástica y en la distribución de los distintos aleantes en capas epitaxiales de GaIn(N)AS/GaAs(001)