Descargas luminiscentes acopladas a espectrometría óptica y de masas para el análisis de semiconductores, óxidos y nitruros

Resumen

La presente Tesis Doctoral se ha enfocado hacia la investigación de la descarga luminiscente, acoplada tanto a espectrometría de emisión óptica (GD-OES) como a espectrometría de masas (GD-MS) para su aplicación a diferentes tipos de materiales cuyo análisis directo es habitualmente difícil con GD, tal y como ocurre con materiales semiconductores, óxidos nanoestructurados, muestras con capas de nitruros, etc. Para llevar a cabo este objetivo se procedió a través delas siguientes etapas: * Se ha investigado la capacidad de la técnica rf-GD-OES para llevar acabo, de forma rápida y fiable, el análisis de materiales semiconductores (silicio). La cuantificación de impurezas (a nivel de trazas, imposibles de detectar con otras técnicas de análisis directo de sólidos como XPS o AES) llevada a cabo en las muestras de silico "homogéneas " está en consonancia con los resultados ofrecidos por una técnica habitual de análisis (ICP-OES), con la ventaja de que con la técnica rf-GD-IES se está reduciendo enormemente el tiempo, el coste y el riesgo de contaminación en cada análisis, gracias a que se evita la tediosa etapa de puesta en disolución de la muestra. También se ha demostrado la viabilidad de la rf-GD-OES para el análisis y cualificación de capas delegadas sobre material semiconductor (silico de calidad electrónica). Para ello se han estudiado muestras con multicapas (17 capas de 100 nm cada una) pudiendose distinguir cada una de ellas, así como cuantificar, con suficiente exactitud, la composición y el espesor de las mismas. * Se ha estudiado la viabilidad de la técnica rf-GD -OES para el análisis directo de membrana ordenadas nanoestructuras, en particular nanotubos de titania (TiO2) y anoporos de lúmina (Al 2O3). Los resultados, tanto cualitativos como cuantitativos, que fueron comparados con los obtenidos mediante otras técnica de media (HR-SEM, EDZ y RAS), han demostrado la capacidad de la rf-GD-OES para obtener importan