Impact of N on the atomic-scale Sb distribution in quaternary GaAsSbN-capped InAs quantum dots

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Revista:
Nanoscale Research Letters

ISSN: 1556-276X,  1931-7573

Año de publicación: 2012

Volumen: 7

Tipo: Artículo

DOI: 10.1186/1556-276X-7-653 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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