Aplicacion de tecnicas de espectroscopia infrarroja y difracción de rayos-x al estudio estructural de aleaciones semiconductoras amorfas del sistema Ge-Sb-Se

  1. Quiroga Alonso, Manuel Ignacio
unter der Leitung von:
  1. María del Pilar Villares Durán Doktormutter

Universität der Verteidigung: Universidad de Cádiz

Fecha de defensa: 29 von Juli von 1998

Gericht:
  1. Rafael Márquez Delgado Präsident/in
  2. Cristobal Corredor Cedrian Sekretär/in
  3. Rafael Jiménez Garay Vocal
  4. Vicente Madurga Pérez Vocal
  5. Jerónimo Ballesteros Pastor Vocal
Fachbereiche:
  1. Física Aplicada

Art: Dissertation

Teseo: 63912 DIALNET

Zusammenfassung

Se ha determinado la estructura de tres aleaciones del sistema Ge-Sb-Se utilizando técnicas de espectroscopía infrarroja y de difracción de rayos-X. De la primera se obtienen los espectros de transmisión cuyo análisis nos proporciona información de las unidades estructurales que pueden conformar el material. La medida de las intensidades de difracción de rayos-X permite generar modelos de estructura a partir de la información de la RDF utilizando el método de Montecarlo. Las unidades estructurales que aparecen en los modelos generados nos permite hacer un cálculo teórico, basado en el modelo de Campo, de Fuerza de Valencia, de las frecuencias normales de vibración de dichas estructuras y su posterior comparación con las frecuencias experimentales obtenidas por espectroscopía infrarroja.