Epitaxia selectiva y recrecimiento lateral de gaas e ingaas sobre sustratos hfo2/gaas nanoestructuradosEfecto del hidrógeno atómico como surfactante
- Benedicto Córdoba, Marcos
- Paloma Tejedor Jorge Zuzendaria
Defentsa unibertsitatea: Universidad Autónoma de Madrid
Fecha de defensa: 2012(e)ko uztaila-(a)k 20
- Miguel Ángel Alario Franco Presidentea
- Fernando Briones Fernández-Pola Idazkaria
- Pedro del Castillo Kidea
- Jon Mikel Molina Aldareguia Kidea
- Marina Gutiérrez Peinado Kidea
Mota: Tesia
Laburpena
Esta tesis presenta un nuevo proceso de fabricación de intercaras de alta calidad entre dieléctricos de alta permitividad y semiconductores III-V de alta movilidad de portadores que puede contribuir a hacer viable la integración de transistores III-V de nueva generación en circuitos lógicos. Este proceso consiste en el tratamiento con H atómico, generado in situ, de sustratos HfO2/GaAs(001) nanoestructurados en ultra-alto vacío, y en el posterior recrecimiento epitaxial lateral (ELO) de GaAs e InGaAs mediante epitaxia de haces moleculares (MBE), de manera que el HfO2 actué como máscara.