Epitaxia selectiva y recrecimiento lateral de gaas e ingaas sobre sustratos hfo2/gaas nanoestructuradosEfecto del hidrógeno atómico como surfactante

  1. Benedicto Córdoba, Marcos
Dirixida por:
  1. Paloma Tejedor Jorge Director

Universidade de defensa: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 20 de xullo de 2012

Tribunal:
  1. Miguel Ángel Alario Franco Presidente/a
  2. Fernando Briones Fernández-Pola Secretario/a
  3. Pedro del Castillo Vogal
  4. Jon Mikel Molina Aldareguia Vogal
  5. Marina Gutiérrez Peinado Vogal

Tipo: Tese

Teseo: 335801 DIALNET lock_openAcceso aberto editor

Resumo

Esta tesis presenta un nuevo proceso de fabricación de intercaras de alta calidad entre dieléctricos de alta permitividad y semiconductores III-V de alta movilidad de portadores que puede contribuir a hacer viable la integración de transistores III-V de nueva generación en circuitos lógicos. Este proceso consiste en el tratamiento con H atómico, generado in situ, de sustratos HfO2/GaAs(001) nanoestructurados en ultra-alto vacío, y en el posterior recrecimiento epitaxial lateral (ELO) de GaAs e InGaAs mediante epitaxia de haces moleculares (MBE), de manera que el HfO2 actué como máscara.