Porosity Control for Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy of GaN Nanowires

  1. Gómez, V.J.
  2. Santos, A.J.
  3. Blanco, E.
  4. Lacroix, B.
  5. García, R.
  6. Huffaker, D.L.
  7. Morales, F.M.
Revista:
Crystal Growth and Design

ISSN: 1528-7505,  1528-7483

Any de publicació: 2019

Volum: 19

Número: 4

Pàgines: 2461-2469

Tipus: Article

DOI: 10.1021/ACS.CGD.9B00146 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus