An approach to the formation mechanism of the composition fluctuation in GaInNAs quantum wells

  1. Herrera, M.
  2. González, D.
  3. Lozano, J.G.
  4. Gutierrez, M.
  5. García, R.
  6. Hopkinson, M.
  7. Liu, H.Y.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Any de publicació: 2005

Volum: 20

Número: 10

Pàgines: 1096-1102

Tipus: Article

DOI: 10.1088/0268-1242/20/10/019 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus