AlN buffer layer thickness influence on inversion domains in GaN/AlN/Si(1 1 1)

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Revista:
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology

ISSN: 0921-5107

Ano de publicación: 2002

Volume: 93

Número: 1-3

Páxinas: 181-184

Tipo: Achega congreso

DOI: 10.1016/S0921-5107(02)00030-2 GOOGLE SCHOLAR
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