Correlation between the AlN buffer layer thickness and the GaN polarity in GaN/AlN/Si(111) grown by MBE

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  3. Vennegues, P.
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  5. Pacheco, F.J.
  6. Molina, S.I.
  7. Garcia, R.
  8. Sanchez-Garcia, M.A.
  9. Calleja, E.
Actas:
Materials Research Society Symposium - Proceedings

ISSN: 0272-9172

Año de publicación: 2002

Volumen: 743

Páginas: 157-162

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1557/PROC-743-L3.25 GOOGLE SCHOLAR
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