Inversion domains in GaN layers grown on (111) silicon by molecular-beam epitaxy

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  7. Calleja, E.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2001

Volumen: 78

Número: 18

Páginas: 2688-2690

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.1368373 GOOGLE SCHOLAR
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