The effect of Si doping on the defect structure of GaN/AIN/Si(111)

  1. Molina, S.I.
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  7. Calleja, E.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 1999

Volumen: 74

Número: 22

Páginas: 3362-3364

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.123345 GOOGLE SCHOLAR
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