Properties of homoepitaxial and heteroepitaxial GaN layers grown by plasma-assisted MBE

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Revista:
Physica Status Solidi (A) Applied Research

ISSN: 0031-8965

Año de publicación: 1999

Volumen: 176

Número: 1

Páginas: 447-452

Tipo: Artículo

DOI: 10.1002/(SICI)1521-396X(199911)176:1<447::AID-PSSA447>3.0.CO;2-A GOOGLE SCHOLAR
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