Growth of III-nitrides on Si(1 1 1) by molecular beam epitaxy. Doping, optical, and electrical properties

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Revista:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Año de publicación: 1999

Volumen: 201

Páginas: 296-317

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/S0022-0248(98)01346-3 GOOGLE SCHOLAR