Boron-doping proximity effects on dislocation generation during non-planar MPCVD homoepitaxial diamond growth

  1. Lloret, F.
  2. Eon, D.
  3. Bustarret, E.
  4. Fiori, A.
  5. Araujo, D.
Revista:
Nanomaterials

ISSN: 2079-4991

Año de publicación: 2018

Volumen: 8

Número: 7

Tipo: Artículo

DOI: 10.3390/NANO8070480 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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