Impact of Nonhomoepitaxial Defects in Depleted Diamond MOS Capacitors

  1. Pham, T.T.
  2. Pinero, J.C.
  3. Marechal, A.
  4. Gutierrez, M.
  5. Lloret, F.
  6. Eon, D.
  7. Gheeraert, E.
  8. Rouger, N.
  9. Araujo, D.
  10. Pernot, J.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Año de publicación: 2018

Volumen: 65

Número: 5

Páginas: 1830-1837

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TED.2018.2813084 GOOGLE SCHOLAR