Homoepitaxial {111}-oriented diamond pn junctions grown on B-doped Ib synthetic diamond

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Revista:
Physica Status Solidi (A) Applied Research

ISSN: 0031-8965

Año de publicación: 2004

Volumen: 201

Número: 11

Páginas: 2462-2466

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1002/PSSA.200405183 GOOGLE SCHOLAR
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