Self-interstitial mechanism for Zn diffusion-induced disordering of GaAs/AlxGa1-xAs (x=0.1-1) multiple-quantum-well structures

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Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 1993

Ausgabe: 73

Nummer: 8

Seiten: 3769-3781

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.352883 GOOGLE SCHOLAR
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