GaAsSb/GaAsN short-period superlattices as a capping layer for improved InAs quantum dot-based optoelectronics

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Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2014

Volumen: 105

Número: 4

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.4891557 GOOGLE SCHOLAR
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