Capping layer growth rate and the optical and structural properties of GaAsSbN-capped InAs/GaAs quantum dots

  1. Ulloa, J.M.
  2. Reyes, D.F.
  3. Utrilla, A.D.
  4. Guzman, A.
  5. Hierro, A.
  6. Ben, T.
  7. González, D.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 1089-7550,  0021-8979

Año de publicación: 2014

Volumen: 116

Número: 13

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.4896963 GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: Scopus