Structural and optical quality of InGaAsN quantum wells grown on misoriented GaAs (1 1 1)b substrates by molecular beam epitaxy

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Revista:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Año de publicación: 2004

Volumen: 270

Número: 1-2

Páginas: 62-68

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2004.06.022 GOOGLE SCHOLAR