Quantitative study of the interfacial intermixing and segregation effects across the wetting layer of Ga(As,Sb)-capped InAs quantum dots

  1. Luna, E.
  2. Beltrán, A.M.
  3. Sánchez, A.M.
  4. Molina, S.I.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2012

Volumen: 101

Número: 1

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.4731790 GOOGLE SCHOLAR
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