A TEM study of the evolution of InAs/GaAs self-assembled dots on (3 1 1)B GaAs with growth interruption

  1. Sales, D.L.
  2. Sanchez, A.M.
  3. Beanland, R.
  4. Henini, M.
  5. Molina, S.I.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242,  1361-6641

Año de publicación: 2007

Volumen: 22

Número: 2

Páginas: 168-170

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/22/2/029 GOOGLE SCHOLAR
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